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[发明专利]SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法-CN200910057468.3无效
发明人：杨欣;孙勤 -专利权人：上海华虹NEC电子有限公司
申请日： 2009-06-25 - 公布日： 2010-12-29 - 主分类号： H01L21/283 文献下载
摘要：本发明公开了一种SONOS中氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层的制造方法，第1步，在硅衬底上热氧化生长一层氧化硅，这层氧化硅为隧穿氧化层；第2步，在所述隧穿氧化层上淀积一层富硅氮化硅，所述富硅氮化硅的分子式为SixNy，其中x，y均为自然数，且x/y大于3/4；第3步，采用湿氧氧化工艺对所述富硅氮化硅进行氧化，所述富硅氮化硅变为氮氧化硅；第4步，在所述氮氧化硅上淀积一层氧化硅，这层氧化硅为阻挡氧化层；所述隧穿氧化层、氮氧化硅、阻挡氧化层构成了SONOS中的氧化硅-氮氧化硅-氧化硅层。本发明可以较为精确地控制氮氧化硅中氧的掺杂量，有利于提高工艺稳定性，同时降低了杂质引入的风险。
sonos 氧化制造方法

[发明专利]单晶硅提拉用氧化硅玻璃坩埚-CN201080033032.1有效
发明人：须藤俊明;佐藤贤 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2010-07-28 - 公布日： 2012-05-23 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：提供一种在高温环境下强度高，且提拉结束后能简单取出的氧化硅玻璃坩埚。氧化硅玻璃坩埚（10）具有设置于坩埚外表面侧的氧化硅玻璃外层（13a）、设置于坩埚内表面侧的氧化硅玻璃内层（13c）、设置于氧化硅玻璃外层（13a）和氧化硅玻璃内层（13c）之间的氧化硅玻璃中间层（13b氧化硅玻璃外层（13a）有100ppm以上的矿化剂浓度，氧化硅玻璃中间层（13b）和氧化硅玻璃内层（13c）具有50ppm以下的矿化剂浓度。优选的，氧化硅玻璃外层（13a）和氧化硅玻璃中间层（13b）由天然氧化硅组成，氧化硅玻璃内层（13c）由高纯度天然氧化硅或合成氧化硅组成。而且，底部（10B）的氧化硅玻璃外层（13a）的厚度是0.5mm～2.0mm，侧壁部（10A）的氧化硅玻璃外层（13a）厚于底部（10B）的氧化硅玻璃外层（13a）。
单晶硅提拉用氧化玻璃坩埚

[发明专利]双极晶体管的制作方法-CN201711397380.7有效
发明人：不公告发明人 -专利权人：南京溧水高新创业投资管理有限公司
申请日： 2017-12-21 - 公布日： 2020-08-28 - 主分类号： H01L21/331 文献下载
摘要：所述制作方法中，发射极多晶硅的形成包括以下步骤：在第二开口的P型接触区上形成氮化硅；去除第一氧化硅，P型接触区上的氮化硅保留；在氧化层上、有源区上及氮化硅上形成第二氧化硅；去除氧化层上、有源区上、氮化硅上的部分第二氧化硅，氮化硅侧壁的第二氧化硅被保留作为氧化硅侧墙；在氧化层上、有源区上及氮化硅上形成至少一附加氧化硅；去除氧化层上、有源区上、氮化硅上的部分附加氧化硅，氮化硅侧壁的附加氧化硅与第二氧化硅被保留共同作为氧化硅侧墙，氮化硅侧墙填满氧化层与氮化硅之间的间隙，氧化硅侧墙还围成对应有源区的第三开口；在第三开口处形成具有N型掺杂的多晶硅。
双极晶体管制作方法

[发明专利]用于橡胶配合的改性填充剂及由其衍生的母料-CN201580035183.3有效
发明人：霍华德·科尔文;皮特·沃伦 -专利权人：固铂轮胎与橡胶公司;内罗米斯工业公司
申请日： 2015-06-29 - 公布日： 2019-08-20 - 主分类号： C08J3/22 文献下载
摘要：用于制造改性二氧化硅产物的方法包括将巯基硅烷和二氧化硅混合以形成疏水化二氧化硅，以及使用氧化剂处理所述疏水化二氧化硅。同样地，用于制造具有改性二氧化硅产物的二氧化硅母料的方法包括将巯基硅烷溶液和二氧化硅浆料混合以形成疏水化二氧化硅浆料，然后使用氧化剂处理所述疏水化二氧化硅浆料以形成改性二氧化硅浆料。将所述改性二氧化硅浆料与橡胶乳胶掺和，其随后凝结以形成二氧化硅母料。还公开了使用改性二氧化硅产物和二氧化硅母料之一制造的橡胶配制物和制品。
用于橡胶配合改性填充衍生

[发明专利]氮氧化硅绝缘结构及其制作方法-CN201310432056.X在审
发明人：江润峰 -专利权人：上海华力微电子有限公司
申请日： 2013-09-22 - 公布日： 2014-01-01 - 主分类号： H01L21/285 文献下载
摘要：本发明提供一种氮氧化硅绝缘结构及其制作方法，所述制作方法包括：提供硅衬底，在所述硅衬底上形成二氧化硅层；在所述二氧化硅层与硅衬底的界面形成第一氮氧化硅层；在所述二氧化硅层上方表面形成第二氮氧化硅层，所述第二氮氧化硅层的氮浓度高于第一氮氧化物硅层的氮浓度；进行退火工艺，对所述第二氮氧化硅层进行稳定处理，所述第二氮氧化硅层、二氧化硅层和第一氮氧化硅层构成所述氮氧化硅绝缘结构。本发明的氮氧化硅绝缘结构能够在防止硼扩散的同时，防止载流子的隧穿效应。
氧化绝缘结构及其制作方法

[发明专利]介电层的制造方法-CN02132362.3有效
发明人：巫勇贤;李政哲 -专利权人：茂德科技股份有限公司
申请日： 2002-09-24 - 公布日： 2004-03-31 - 主分类号： H01L21/314 文献下载
摘要：一种介电层的制造方法，将一衬底置入一炉管中，并于衬底上形成一层氧化硅层，然后，进行回火工艺使氧化硅层变成一层氮氧化硅层。接着，于氮氧化硅层上形成一层氮化硅层。的后，于氮化硅层上形成一氧化硅层。而于衬底上形成氮氧化硅/氮化硅/氧化硅叠层介电层。其中，形成氮氧化硅/氮化硅/氧化硅叠层介电层的工艺都是在同一个炉管中进行，因此可以简化工艺。
介电层制造方法

[发明专利]一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法-CN201610272824.3有效
发明人：叶继春;曾俞衡;高平奇;韩灿;廖明墩;王丹;蔡亮 -专利权人：中国科学院宁波材料技术与工程研究所
申请日： 2016-04-27 - 公布日： 2017-03-08 - 主分类号： H01L31/048 文献下载
摘要：本发明提供的太阳能电池包括硅片、钝化隧穿层、掺杂薄膜硅层，所述钝化隧穿层位于所述硅片和所述掺杂薄膜硅层之间，其中所述钝化隧穿层为氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层中的一种；所述氮氧化硅为掺杂氮的氧化硅或掺杂氧的氮化硅；所述氧化硅/氮氧化硅梯度叠层、氮氧化硅/氮化硅梯度叠层、氧化硅/氮氧化硅/氮化硅梯度叠层的氮浓度从远离硅片侧向硅片侧梯度降低。由于氮化硅和氮氧化硅的隧穿势垒较低，本发明钝化隧穿层可以在保证隧穿效率的前提下适当放宽钝化隧穿层的厚度，从而有利于减少钝化隧穿层孔洞，降低漏电流的发生和复合速度，拓宽工艺窗口和提高工艺稳定性。
一种隧穿硅氧氮层钝化接触太阳能电池及其制备方法

[发明专利]二氧化硅膜、光学构件及偏振构件-CN201580036067.3有效
发明人：小堀重人 -专利权人：三星电子株式会社
申请日： 2015-06-30 - 公布日： 2019-07-23 - 主分类号： G02B1/113 文献下载
摘要：提供这样的二氧化硅膜，即使在所述二氧化硅膜中含有中空二氧化硅颗粒时其膜强度也不容易降低。另外，提供具有低反射率的二氧化硅膜等。二氧化硅层(二氧化硅膜)包括二氧化硅和氟化中空二氧化硅颗粒。二氧化硅通过将聚硅氮烷转化为二氧化硅形成。氟化中空二氧化硅颗粒局部分布于二氧化硅层的表面上。氟化中空二氧化硅颗粒局部化的部分具有低折射率层的功能，而除氟化中空二氧化硅颗粒所在部分以外的部分具有硬质涂层的功能。
二氧化硅光学构件偏振

[发明专利]STI的形成方法-CN202110084945.6在审
发明人：肖敬才;邱元元;郭振强;黄鹏 -专利权人：华虹半导体（无锡）有限公司
申请日： 2021-01-21 - 公布日： 2021-06-08 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：该方法包括在衬底表面形成衬垫氧化层和衬垫氮化硅层；通过光刻和刻蚀工艺，在衬底中形成浅沟槽；形成浅沟槽的内衬氧化层和内衬氮化硅层；沉积氧化硅令浅沟槽被氧化硅完全填充，且氧化硅覆盖衬底；对衬底进行CMP处理；通过刻蚀工艺调整氧化硅层，令氧化硅层的顶部不高于浅沟槽的顶部；去除未被氧化硅层覆盖的内衬氮化硅层；再次沉积氧化硅令浅沟槽被氧化硅完全填充，且氧化硅覆盖衬底；去除衬底表面的氧化硅和衬垫氮化硅层，形成浅沟槽隔离；解决了利用湿法腐蚀工艺去除衬底表面多余的氮化硅层，容易导致浅沟槽隔离的顶角出现凹陷缺陷的问题；达到了提升器件性能的效果。
sti 形成方法

[发明专利]一种氮氧化硅栅氧化层制造方法-CN201010022720.X有效
发明人：高伟辉;陆肇勇 -专利权人：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
申请日： 2010-01-08 - 公布日： 2011-07-13 - 主分类号： H01L21/28 文献下载
摘要：本发明提出一种MOS器件氮氧化硅栅氧化层制造方法，该方法包括：首先在提供的硅衬底上氮化形成氮氧化硅，然后热氧化形成氮氧化硅和硅衬底之间的第一氧化硅层和氮氧化硅上的第二氧化硅层，接着第二退火所述硅衬底之后，在第二氧化硅层上沉积多晶硅；刻蚀形成栅极和氮氧化硅栅氧化层。本发明在硅衬底和氮氧化硅之间引入氧化硅层，使氮氧化硅栅氧化层与硅衬底之间的悬挂键减少，从而降低氮氧化硅栅氧化层与衬底之间的界面态电荷密度，改善了MOS器件的某些特性，如提高了器件的阈值电压稳定性，降低了器件的热载流子效应及闪烁噪声等
一种氧化制造方法

[发明专利]具有保护层的石英玻璃坩埚及其制造方法-CN200910158377.9无效
发明人：杨逸涵;潘敏学;邱恒德 -专利权人：合晶科技股份有限公司
申请日： 2009-07-08 - 公布日： 2011-01-12 - 主分类号： C30B15/10 文献下载
摘要：本发明公开了一种具有保护层的石英玻璃坩埚的制造方法，其包括提供一石英玻璃坩埚本体；于该石英玻璃坩埚本体的内侧形成至少一第一氮氧化硅层；再于该第一氮氧化硅层上形成至少一第二氮氧化硅层；再于该第二氮氧化硅层上形成一氮化硅层，该第一氮氧化硅层和第二氮氧化硅层皆由二氧化硅(SiO2)和氮化硅(Si3N4)或氮氧化硅材料所组成，且该第二氮氧化硅层的氮化硅占第二氮氧化硅层的比例较第一氮氧化硅层的氮化硅占第一氮氧化硅层的比例多，该氮化硅层由氮化硅所组成本发明能避免氧原子渗入硅熔汤，且藉由调整氮化硅和/或二氧化硅的量而控制各层状结构的厚度，且能增加石英玻璃坩埚的使用寿命。
具有保护层石英玻璃坩埚及其制造方法

[发明专利]电极材料-CN201780038612.1有效
发明人：篠原启彰;森田崇;芳野真次;小川光辉;上村光浩 -专利权人：拓自达电线株式会社;富士硅化学株式会社
申请日： 2017-06-23 - 公布日： 2022-03-22 - 主分类号： A61B5/25 文献下载
摘要：多孔载体(2)例如是氧化硅。作为氧化硅，可使用沉淀法氧化硅、凝胶化法氧化硅等湿法氧化硅、干法氧化硅等。
电极材料

[发明专利]形成器件隔离区的方法-CN200710126588.5有效
发明人：蒋莉;邹陆军;李绍彬;吴佳特 -专利权人：中芯国际集成电路制造（上海）有限公司
申请日： 2007-06-22 - 公布日： 2008-04-02 - 主分类号： H01L21/762 文献下载
摘要：一种形成器件隔离区的方法，首先在硅衬底上依次形成垫氧化层和第一氮化硅层；蚀刻垫氧化层、第一氮化硅层及硅衬底，形成沟槽；在第一氮化硅层上形成绝缘氧化层，并将绝缘氧化层填充满沟槽；在绝缘氧化层上形成第二氮化硅层；研磨第二氮化硅层及绝缘氧化层至第一氮化硅层；去除第一氮化硅层和垫氧化硅层，形成浅沟槽隔离结构。经过上述步骤后，由于在氧化硅层上沉积了一层氮化硅层，在对氧化硅层和氮化硅层进行研磨时，对氮化硅的研磨速度比对氧化硅的研磨速度慢，因此在研磨结束后，浅沟槽内氧化硅凹陷情况得以改善。
形成器件隔离方法

[发明专利]用于加氢处理应用的二氧化硅-氧化铝复合材料-CN202080083217.7在审
发明人： A·梁;T·J·奥拓;J·贾;焦凌;B·Q·勒;K·乔杜里;詹必增 -专利权人：雪佛龙美国公司
申请日： 2020-11-04 - 公布日： 2022-07-08 - 主分类号： B01J21/12 文献下载
摘要：公开了用于制备加氢处理催化剂的二氧化硅‑氧化铝基复合材料。二氧化硅‑氧化铝复合材料通常包含至少两种二氧化硅‑氧化铝，第一种是改性的第一二氧化硅‑氧化铝，而第二种是未改性或改性的第二二氧化硅‑氧化铝。所述第一二氧化硅‑氧化铝被改性以包含二氧化硅和氧化铝域以及二氧化硅‑氧化铝界面相。所述第二二氧化硅‑氧化铝也可被同时或分开改性以包含二氧化硅和氧化铝域以及二氧化硅‑氧化铝界面相。所述第一二氧化硅‑氧化铝和所述第二二氧化硅‑氧化铝在一个或多个物理和/或化学特性方面不同，如二氧化硅与氧化铝的比率、表面积、孔隙尺寸、孔隙体积、二氧化硅域尺寸或氧化铝域尺寸。
用于加氢处理应用二氧化硅氧化铝复合材料

[发明专利]氧化硅玻璃坩埚及其制造方法-CN201110445456.5有效
发明人：须藤俊明;佐藤平;池端修一;庄内学;西卓二;佐藤孝也;山崎真介 -专利权人：日本超精石英株式会社
申请日： 2011-12-27 - 公布日： 2012-07-11 - 主分类号： C03B20/00 文献下载
摘要：一种在制造工序中可以防止拿错坩埚的氧化硅玻璃坩埚的制造方法，其包括：在可制定氧化硅玻璃坩埚外形的模具的内表面堆积氧化硅粉末而形成氧化硅粉层的氧化硅粉层形成工序；在模具内通过电弧加热来熔化氧化硅粉层并形成氧化硅玻璃层，由此形成氧化硅玻璃坩埚，在氧化硅玻璃层和模具之间残留未熔化氧化硅粉层而结束电弧加热的电弧加热工序；从模具取出氧化硅玻璃坩埚的取出工序；以及去除位于氧化硅玻璃坩埚外表面的未熔化的氧化硅粉层的珩磨工序；在取出工序之后且在珩磨工序之前进行的在氧化硅玻璃坩埚外表面标记由
氧化玻璃坩埚及其制造方法

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